物联网(IoT)、人工智慧(AI)、5G、工业4.0等应用推升资讯量呈现爆炸性的成长,所有资料都必须在边缘搜集,并且从边缘到云端的多个层级进行处理和传输、储存和分析。 在如此庞大的资料储存、传输需求下,在DRAM、SRAM以及NAND Flash等传统记忆体已逐渐无法负荷,且再加上传统记忆体的制程微缩愈加困难的情况之下,驱使半导体产业转向发展更高储存效能、更低成本同时又可以朝制程微缩迈进的新兴记忆体。 MRAM存储器在这之中表现突出。 据媒体获悉,11月2日,专注于 MRAM 及相关产品设计开发的 Fabless 企业亘存科技,目前完成了由深圳高新投正轩基金领投,正轩投资、百度风投、老股东普华资本及陆石投资跟投的数千万元 Pre-A 轮融资。本轮融资主要用于芯片优化、迭代以及团队扩充。 公开资料显示,亘存科技成立于 2019 年,总部位于深圳,在上海和法国格勒诺布尔设有子公司和研发中心,是国内唯一一家基于 MRAM 技术进行芯片设计开发和销售的创业公司。公司核心成员自 2004 年起便深耕于 MRAM 相关领域,平均拥有超20年集成电路领域工作经验,在国内外知名芯片企业具有丰富的设计研发和管理经验,参与研发的芯片产品累计出货量达到数十亿颗,在 MRAM 领域具有扎实、丰富的 know-how 积累和创业经验。 亘存科技总经理郭玮曾于 2014 年创立国内第一家 MRAM 芯片设计企业,主持完成了国内第一颗 MRAM 测试芯片的全流程开发。现有团队中技术人员占比超过 90%,其中超过 30%拥有博士学位。 亘存科技副总经理何帆表示:"公司目前正在开发已成功流片的一款芯片,首次集成了超过 200 Mb 的 MRAM ,改进了目前方案的集成度和整体功耗,同时降低了系统 BOM 成本,提升了可靠性,该款产品目前正在等待送样测试。此外,公司还有两款客户定制的芯片已经流片并计划明年量产。此外,公司还有两个基于MRAM的近存、存内计算的在研项目。"