1.纳米级别的晶圆制造已经触发了量子穿隧效应。 2.芯片的本质是无数颗晶体管的集合,电子在刻蚀的线径中运行,这些微小的线路集合构成了微观级别的晶体管。 3.当能垒宽度在3纳米时 已经无法有效阻止电子的逃逸,构成量子穿隧效应。 4.根据薛定谔效应,这会导致多光子电离和遂穿电离的并存,即测不准效应,会微型晶体管性能不稳定 良品率低。 5.移动设备使用的芯片多是高频,高频情况下如果有量子穿隧效应会导致漏电。 6.芯片进入3纳米时代,制造技术不再是简单的工艺迭代,而需要量子力学的基础物理理论铺路。 7.看到这里,你大概会心的笑了,台积电还是等等吧,让我们一起携手进入5纳米时代。因为芯片行业导入量子力学的应用不是三年五载的事情。 8.持有中芯国际的朋友不用焦虑了,中国的半导体行业希望之光即将到来。中芯国际最大的敌人是美国,但你最大的对手的敌人是基础量力力学的应用突破,你看孰轻孰重?