三星拟新增至少10台EUV光刻设备，扩大DRAM产能？

　　12月27日，据韩国媒体报道，存储芯片龙头企业三星计划将在明年扩大其位于韩国平泽市的最大芯片制造厂——P3工厂的产能。据记者了解，该工厂还将根据代工合同增加4纳米芯片产能，计划明年新购至少10台EUV光刻机。
　　众所周知，当前DRAM市场正处于下行期。TrendForce表示，DRAM价格自年初以来就一路走跌，下半年合约价每季跌幅更超过10%，需求市场的严峻，很多厂商都选择降低产能。12月21日，美国存储芯片巨头美光宣布，计划裁员10%，以应对消费电子产品和芯片需求走软。SK海力士曾表示，为应对市场环境，其资本支出将保持灵活。
　　三星作为该领域的龙头老大，今年第三季度在全球DRAM市场保持第一的位置，但市场份额有所下降。根据市场研究公司Omdia的数据，今年第三季度全球DRAM销售额为175.48亿美元，较上一季度的249.84亿美元下降29.8%。三星第三季度的DRAM市场份额为40.6%，比上一季度的43.4%下降了2.8%。
　　但三星不仅不打算削弱内存产出，还准备逆势而行，计划明年增加P3工厂的DRAM设备，扩大其DRAM存储芯片所需的12英寸晶圆产能，预计每月可生产7万片12英寸晶圆，截至今年第三季度，三星电子的整体DRAM晶圆月产量为66.5万片。
　　此外，该工厂还将根据代工合同增加4纳米芯片产能，计划明年新购至少10台EUV光刻机，目前数量为40台。
　　在技术研发方面，其利用12纳米级制程工艺成功开发出16Gb DDR5 DRAM，并在最近与AMD完成了兼容性测试。据悉这款产品是业界最先进的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。三星表示，为了抢占逐渐扩大的DDR5市场，计划从明年开始批量生产，并向数据中心和人工智能等领域客户供货。
　　三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee表示：＂三星12nm级DRAM将成为推动整个市场广泛采用DDR5 DRAM的关键因素。凭借卓越的性能和能效，我们希望新款DRAM能够成为下一代计算、数据中心和AI驱动系统等领域更可持续运营的基础。＂
　　二维半导体材料为三维异构集成打开新路径
　　SEMI预测：到2024年全球半导体行业新工厂投资将超过5000亿美元
　　作者丨许子皓
　　编辑丨徐恒
　　美编丨马利亚
　　监制丨连晓东