半导体设备产业链投资梳理
半导体产业链
从产品类型看, 半导体主要由集成电路、光电子器件、分立器件和传感器组成;
其中, 集成电路的市场规模是最大的,占据 80%+;
一个产业链的景气度一般是从上游开始往下游传播, 所以我们应该重点关注一个产业链的上游, 中游;
而下游, 一般就是应用终端, 比如, 手机, 汽车等等;
对于半导体产业链来讲, 抓住了上游, 就抓住了整个产业链的机会;
比如, 手机芯片, 汽车IGBT 都是需要依靠上游的半导体设备和半导体材料, 这也是我们被卡脖子最严重的地方;
需要半导体材料的可以翻一下, 之前的文章;
回到正文, 我们来分析半导体设备产业链;半导体设备
半导体设备行业具有较高的技术壁垒、市场壁垒和客户认知壁垒, 以美国应用材料、荷兰阿斯麦、美国泛林集团、日本东京电子、美国科天等为代表的国际知名企业起步较早, 经过多年发展, 凭借资金、技术、客户资源、品牌等方面的优势, 占据了全球半导体设备市场的主要份额;美国在等离子刻蚀设备、离子注入机、外延生长系统、化学气相沉积设备、溅射设备、退火设备、镀铜设备、去胶设备、掩膜版制造设备、工艺检测设备、圆片清洗设备、部分测试设备等方面占据优势;日本在光刻机、涂胶设备、显影设备、封装及测试设备、氧化 /LPCVD 设备、等离子刻蚀设备、化学气相沉积设备、检测设备、传送装置等方面具有优势;荷兰则在高端光刻机方面居于国际领先地位;
我国半导体设备大量依赖进口;
中国电子专用设备工业协会统计的数据包括集成电路、LED、面板、光伏等设备, 实际上国内集成电路设备的国内市场自给率仅有 5%左右,在全球市场仅占 1-2%,技术含量最高的集成电路前道设备市场自给率更低;
市场发展趋势是:芯片尺寸不断缩小, 从 12 微米 - 22 纳米 +硅片尺寸不断扩大, 从 4 英寸, 6 英寸, 8 英寸, 12 英寸
国家政策也是在不断扶持半导体行业,《中国制造 2025》对于半导体设备国产化提出明确要求:
在 2020 年之前,90-32 nm 工艺设备国产化率达到 50%,实现 90nm 光刻机国产化, 封测关键设备国产化率达到 50%;
在 2025 年之前,20-14nm 工艺设备国产化率达到 30%,实现浸没式光刻机国产化;
对于半导体设备环节来讲, 以产业链应用环节来划分, 设备可分为前道工艺设备(晶圆制造)和后道工艺设备(封装测试)两个大类;2022年半导体设备市场规模:
其中, 晶圆制造相关设备占据整个半导体设备市场的 80% ~ 85%;
尤其是其中价值最大, 市场规模最大的三个环节, 光刻机,刻蚀机和薄膜设备;
我们首先来看半导体晶圆加工流程, 硅片制造请移步, 硅片制造文章;
前道工艺就是目前难度最大的地方, 尤其是其中的光刻机;
1 氧化
目的是形成绝缘层,隔离电学器件,为下一步的光刻做准备;
氧化镀膜就是将一层二氧化硅沉积到晶圆表面,再沉积一层氮化硅,与铁生锈过程十分类似
2 匀胶
在晶圆表面滴上光刻胶,利用旋涂技术使光刻胶均匀涂抹;
主要目的是为了方便后续通过曝光使可溶的胶体被去除,在晶圆表面上留下掩模版的图形
3 曝光
在晶圆上方放置掩模版,掩模版由透明玻璃与不透明的铬制成;
使用光刻机对准掩模版,进行紫外线曝光;
这一步的目的就是通过光刻机将掩模版上的图形转移到光刻胶上;
掩模版上透光部分使得下面的光刻胶被曝光,不透光部分下面的光刻胶则不会受影响;
光刻胶被紫外线曝光的部分变得可溶解;
4 显影
被曝光的光刻胶可以通过专用的显影液去除
显影将光刻胶下的氮化硅层暴露出来, 掩模版上的图形得以顺利转移;
5 刻蚀
这一步的目的是进一步将光刻胶上的图案进一步转移到氧化层 上(SiO2)
使用腐蚀性液体将暴露出来的氮化硅层及二氧化硅层刻蚀下去, 或者使用等离子体轰击晶圆表面的方式, 使得未被光刻胶覆盖的区域被刻蚀;
随后去胶,清洗表面;
6 沉积
主要目的是制作介质层;
再沉积一层二氧化硅使晶体管之间绝缘;
随后沉积出一层多晶硅薄膜用于制作栅极,重复涂胶,光刻,显影,刻蚀的步骤,暴露出硅晶圆晶格,并保留多晶硅栅极;
7 研磨
在每一层构筑完成后,用化学腐蚀和机器研磨相结合的方式对晶圆表面进行研磨,使表面平整;
8 离子注入
将 P 型或者 N 型杂质轰进刚刚刻蚀出来的半导体晶格中, 使得晶格中的原子排列发生变化, 形成 PN 节;
从而可以改变半导体载流子浓度以及导电类型;
9 退火
离子注入后也会产生一些晶格缺陷, 退火环节主要是将离子注入后的半导体放在一定温度下进行加热, 使得注入的粒子扩散, 恢复晶体结构, 修复缺陷, 激活所需要的电学特性;
最后将制备好的晶圆进行减薄,切片,封装,检测;
篇幅有限, 后续会继续更新半导体设备各个环节的产业链梳理, 以及投资标的;
有需要的, 先点个关注, 后续更新不错过!
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