LPDDR关键信号如何解析？如何测试呢？

　　DDR建立内存的初衷是加快内存的传输速度，以弥补内存带宽的不足。关键技术是双数据速率和预存取。在一个时钟周期中，DDR可以完成SDR只能在两个周期内完成的任务理论上是同速的DDR内存与SDR性能是内存的两倍以上，LPDDR拥有比同代DDR这种芯片主要用于移动电子产品等低功耗设备。
　　DDR内存条-来源于网络-图侵删
　　那么LPDDR关键信号该如何分析和接线有哪些要求呢？
　　单端信号要求走50Ω±10%，其中DQ/DM未单端信号，DQS为差分信号，
　　DQS差分信号：走线宽度及差分线间距又PCB的叠层阻抗所决定
　　DQ数据线：DQ线宽由PCB层叠阻抗决定，组内行走间距需要2。W原则(两条线路中心点之间的距离是线路宽度的两倍)
　　DQS和DQ走线间距以及不同数据组之间的间距：走线需要大于2W
　　DQS差异之间的最大延迟：1PS（1ps的延迟在PCB上大概对应6mil，因此，差异之间的等长控制要求为5mil不会出错)
　　DQS和DQ的最大延迟：5PS（1ps的延迟在PCB上大概对应6mil，要求差分对之间的等长控制在30Mil以内）
　　因为CLK与DQS最大延迟可以接受为150ps，也就是说，每个数据组只需要7500mil内等长，但一般控制在120mil以内
　　数据信号组为8位为一个字节即为一组，但还需要包括DQS和DQM（DQ0-7，DQM，DQS）
　　第二组信号为DQ8-DQ15，DQM，DQS
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　　时钟走线
　　差分阻抗为100Ω±10%，线宽与差分线之间的距离由PCB由叠层决定
　　由于时钟信号线不高频，上升边缘很陡，很容易干扰他人，所以我们需要做3W原则是与其他信号接线的净宽至少为3倍
　　差分对最大的延迟为：1PS即6mil，通常按5mil等长设计
　　时钟CLK与DQS之间允许的最大延迟为：150PS
　　控制组
　　CSN：片选信号，当CS#为高时，所有信号无效，为输入信号，CS的参考电压为VREFFCA
　　CKE：时钟使能，高使能，低禁止，为输入信号，CKE的参考电压为VREFFCA
　　控组信号走线阻抗控制为50Ω±10%，走线的宽度由PCB的叠层决定，控制信号需要控制3W原则
　　控制信号与时钟之间的最大延迟为：5PS即30MIL
　　地址组
　　地址信号我们需要控制阻抗：50Ω±10%，线路宽度PCB叠层是由阻抗需求决定的，需要控制线之间的宽度3W原则
　　与SLK最大的延迟为：5ps，即30MIl
　　在反射率测试系统中，激光粒度计的遮光比不应过大（超过50）或过小（低于）。当遮光比过大时，颗粒浓度过高，容易发生二次散射，测量结果误差增加。遮光比过低，样品中颗粒浓度过低，颗粒数量过少，试验结果的代表性很差，可能导致试验结果无效。因此，在测试过程中，应通过重复实验选择遮光比，以获得正确的测量结果。
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