中国芯开始爆发了！三大领域实现三大突破

　　小小的芯片，如今变得异常重要。如今我们在芯片上确实有差距，但其实早就开始重视，只是发展的过程中一直备受阻挠，还走了一些弯路，不过近年来开始加速了！
　　尤其是中兴、华为事件之后，政策更加倾斜、资金大量涌入、人才急剧聚集，中国芯迎来了前进的黄金时期，努力之后开始逐渐爆发了，近日三大领域实现三大突破！
　　设计：EDA软件取得进步
　　芯片的生产一般要经过三个重要环节，分别是设计、制造和封测。我们知道，在芯片设计上，以华为海思为首的国内芯片企业的设计水平已经进入了全球领先的行列。
　　不过，在设计上依然有重要一环受到限制，那就是芯片设计软件EDA。EDA被称为＂芯片之母＂，没有它芯片设计就无法进行，之前华为的EDA就曾被断供升级。
　　原因还是人家发展早，所以EDA被新思科技、楷登电子、西门子三家欧美企业垄断。
　　因此，EDA国产替代势在必行。其实，我国EDA起步并不晚，早在1990年就研发出中国第一款＂熊猫＂EDA。只是因为国内芯片制造行业发展较慢，也没发展起来。
　　如今，华大九天成了国内规模最大的EDA企业，其创始团队就有多位成员曾参与＂熊猫＂EDA研发。近日，华大九天宣布系统能够完整支持28nm及以上的成熟工艺。
　　28nm是目前的主流需求，虽然在高端EDA上还有差距，但假以时日总会突破的。
　　制造：光子芯片产线加速
　　设计是基础，制造是关键，但这个环节我们的差距更大，尤其是高端芯片制造，主要还是依赖台积电、三星等。大陆芯片制造技术最先进的中芯国际也才做到14nm。
　　但这并不是我们的能力不行，其实技术方面7nm都已突破，这个梁孟松博士曾透露过。只是人家把我们制造高端芯片给限制了，先进设备限制出口，尤其是EUV光刻机。
　　这就需要我们在芯片设备上实现国产替代，另外就是不断探索其他的芯片制造技术。
　　比如先进封装、光子芯片、量子芯片、第三代半导体等。其中，光子芯片的进度更为引人瞩目。近日消息，国内首条＂多材料、跨尺寸＂的光子芯片生产线正在筹备。
　　光子芯片主要用于光电子器件，其功耗更低，且计算速度比电子芯片快约1000倍。关键是，所使用的原材料及设备完全国产，还不依赖ASML的EUV等极高端光刻机。
　　该产线预计将于2023年在京建成，有望填补我国在光子芯片晶圆代工领域的空白。
　　封测：中企水平全球领先
　　芯片生产的最后一个环节就是封测，芯片制造完成后，必须经过封装和测试，才能进入应用。这个环节对技术要求相对较低，因此我们的企业在封测上做得还很不错。
　　有的可能了解，国内封测行业有三大巨头，分别是长电科技、通富微电和华天科技。
　　近日，知名调研机构发布了全球前十大封测厂商排名。其中，长电科技排名全球第三，通富微电第五，华天科技第六。另外，中国台湾企业5家，美企1家，新加坡1家。
　　尤其是长电科技，在大陆还是第一，加上通富微电和华天科技。大陆封测企业在全球已经占据重要地位，芯片封测完全实现国产替代，根本不用担心外部＂卡脖子＂。
　　前段时间，长电科技在封测技术再次实现突破，已经实现4nm手机芯片的封装，以及CPU、GPU和射频芯片的集成封装。不仅如此，还在先进封装方面开展了提前布局。
　　大陆排名第二的通富微电，之前也宣布实现了5nm封测能力，都在不断取得进步。
　　尽管我们的芯片整体水平还有不小差距，但还有一个最大的优势，那就是芯片细分产业链非常全，也就是说每个环节我们都有企业在做，这是任何国家也难以比拟的。
　　因此，只要我们下定决心，一定能够实现芯片国产替代，解决芯片＂卡脖子＂只是时间问题！从近年来芯片行业不断实现的各种突破可以看出，中国芯正在不断爆发！