中科院EUV光刻机新消息，结局基本清晰了

　　也许你现在用的电脑，所用芯片的工艺还是14纳米，但是现在的芯片制造工艺，已经推进到了3纳米。
　　而且，芯片工艺的推进速度，还没有看到减慢的迹象，例如台积电近日就宣布，其3纳米研发团队，开始向1.4纳米进发。
　　制造工艺这么先进的芯片，离不开精良的设备，也就是EUV光刻机，正如大家所了解的，我们还无法进口这款设备。
　　因此即使是5纳米芯片，大陆中企晶圆厂也无法进行实验性的量产。
　　很显然，如果要打破这样的局面，基本就是两个办法。
　　第一个，寄希望ASML可以获得授权，开放向我们供货，但是这个选择就显得太被动了，如果迟迟不开放，那岂不是我们永远都无法制造先进工艺的芯片了。
　　所以第二种办法更靠谱一些，也就是自主研发。
　　相信有的朋友还记得，在2020年的时候，中科院院长白崇礼曾经表示，将会解决一批卡脖子的问题，其中光刻机就赫然在列，当然，这里指的就是EUV光刻机。
　　当时不禁有网友表示，ASML研发EUV相关的技术有二十多年历史，我们则刚宣布要解决这个问题，是不是有点不太现实了。
　　那么真的如此吗？其实不然。
　　实际上，中科院早就开始了在EUV方面的技术研发，而ASML方面其实也传出消息，EUV光刻机的＂大门＂正在向中企打开了，结局已经基本清晰了。
　　可能很多朋友不知道，在某个科技领域要计划实现突破，甚至国产替代，不是马上组织实施，给资金、给团队、给资源等就可以解决的，这需要很多的积累，其中非常重要的就是专利积累。
　　这是因为，如果你没有申请到足够的专利，那么在以后的设备研发上，很可能你就会侵权。
　　ASML在光刻机领域已经很强大了吧，但是ASML依然需要在专利方面深耕，例如在2019年，ASML就向尼康支付了1.5亿欧元的专利诉讼和解费用。
　　在更早的2007年，ASML还与佳能进行了专利方面的交叉授权。
　　因此如果没有一定的专利积累，将会很难在这个领域立足。
　　而我们发现，中科院早在2002年就开始研发EUV方面的技术，并且已经申请了专利。
　　可以看到，在2002年6月24日，中科院光电院就申请了一项＂自适应全反射极紫外投影光刻物镜＂的专利。
　　在专利的摘要解析当中明确指出，该专利技术用于EUV光刻机当中。
　　但中科院的努力可不止这些，除了上面我们谈到的中科院光电院，还有中科院长光所、上光所、微电子所和高能物理研究所等。
　　其中已经申请的EUV专利上百项，就在今年的三月份，则刚刚公开了一项新的EUV专利，申请方为中科院上光所。
　　由此可见，在白院长2020年宣布要解决卡脖子的EUV光刻机时，其实中科院方面早就努力了至少18年的时间。
　　很显然，多年的专利积累，已经为我们实现EUV光刻机走向量产，做好了一条护城河。
　　而且我们也注意到，近年来，中科院方面开始面向所内外甚至国际上，招募EUV方面的人才。
　　这似乎表明，我们的EUV光刻机开始进入从实验室阶段向工厂阶段迈进，从理论阶段开始走向实践阶段了。
　　总之我们看到，中科院在EUV专利方面很有优势，剩下的工作主要就是将我们的理论变成现实，因为已经可以开始进行期待了，这也是为什么说，EUV光刻机的＂大门＂正在向中企打开。
　　那么大家认为，大概什么时候，我们的国产EUV光刻机可以到来呢？欢迎评论区留言、讨论、点赞和转发。