台积电都快2nm了，中芯国际刚突破55nm工艺？这到底是怎么回事？

　　近日，中芯国际又传出好消息，55纳米BCD平台第一阶段已完成研发。对于这个事儿，很多人有疑问，怎么才55nm，人家台积电都2nm了。甚至外网还有居心叵测之人，拿这个贬低中芯国际和中国半导体，实际上他们都大错特错了。
　　这次中芯国际取得突破的是BCD工艺平台，它跟传统我们说的几纳米工艺有着很大的区别，今天这条视频，我就来给大家讲讲，这个BCD工艺到底是咋回事？
　　当然，首先还是要再强调一下，纳米只是制造工艺过程中的一个数值，严格来说，不能简单粗暴地按照纳米去划分芯片的等级。举个例子，5nm的手机芯片，跟7nm的电脑芯片，谁的性能更好，谁更高端呢？自然无法相互比较。而中芯国际的55nm工艺，跟传统的几纳米压根也不是一回事。
　　那么我们先来说什么是BCD工艺。
　　BCD指的是Bipolar-CMOS-DMOS，其中的Bipolar 是用于高精度处理模拟信号的双极晶体管，CMOS是用于设计数字控制电路的互补金属氧化物半导体，DMOS是用于开发电源和高压开关器件的双扩散金属氧化物半导体。
　　像我们平时说的2nm芯片、5nm芯片，都是CMOS器件。
　　而BCD工艺指的是一种单片集成技术，具体就是把Bipolar器件、CMOS器件和DMOS器件制作到同一个芯片上，由意法半导体在1985年率先研制成功。
　　很明显，这样的方式获得了取长补短的效果，充分发挥了三者的优势，可大幅降低功率耗损，提高系统性能，节省电路的封装费用，并具有更好的可靠性。
　　那么，大家认知里的几纳米跟BCD工艺的几纳米完全是两个概念和事物，没有任何可比性，这点一定要注意。
　　目前，BCD工艺的主要发展方向有三种，分别是：
　　1、高压BCD方向
　　电压范围是500-700瓦，利用轻掺杂的外延层制作器件，使表面电场分布更加平坦从而改善表面击穿的特性，使击穿发生在体内而非表面,从而提高器件的击穿电压，可用于电子照明和工业应用的功率控制。
　　2、高功率BCD方向
　　电压范围是40-90V，主要的应用为汽车电子。它的需求特点是大电流驱动能力、中等电压，而控制电路往往比较简单。
　　3、高密度BCD方向
　　主要电压范围是5-50瓦，主要用于汽车电子应用。
　　那么经过30多年的发展，意法半导体不断升级BCD工艺，从第一代的4微米发展到了第九代的0.11微米以及第十代的90纳米。
　　当然，在BCD工艺方面，我国也有多家厂商涉足，例如在去年6月份，晶圆大厂华虹半导体就宣布，其 90nm BCD工艺在华虹无锡12英寸生产线已实现规模量产。
　　而关于中芯国际55nmBCD工艺的消息，来自近日中芯国际发布的2022半年报，其中提到，55纳米BCD工艺（高压显示驱动平台）已经完成平台开发，并导入客户，实现批量生产。
　　也就是说，之前最先进的BCD就是90nm工艺，而中芯国际已经取得了55nm BCD工艺的突破，对比起来，中芯国际的BCD工艺目前在全球范围内来说处于领先地位。像半导体发到的韩国，其头部晶圆代工厂Key Foundry直到今年才宣布，180nm高压BCD工艺开始量产，跟中芯国际还有一定的差距。
　　那么，中芯国际的高制程BCD工艺主要针对工业和汽车应用的中高压BCD平台和车载BCD平台，以及为高数字密度和低导通电阻的电源管理芯片提供解决方案。
　　BCD工艺的主要应用在电源管理、显示驱动、汽车电子、工业控制等领域。近年来，全球智能化的发展速度越来越快，在显示驱动和电源管理两大市场驱动下，BCD工艺备受关注，有越来越多的公司进入该领域，进行相关工艺和产品的开发。所以，BCD工艺作为一种先进的单片集成工艺技术，具有广阔的市场前景。
　　总之，我们不能听风就是雨，看到55nm之后，不分青红皂白就去诋毁我们自己的晶圆厂。正所谓，没有调查就没有发言权，当我们努力查证、做出求证以后，不得不给中芯国际竖起一个大拇指，真的是好样的！
　　好了，今天咱们就聊到这儿，大家有什么想法可以在评论区留言，一起参与讨论。记得关注我，我是老万，谢谢大家，明天我们不见不散。