如果荷兰阿斯麦DUV光刻机也对中国大陆厂商禁售，后果有多严重？

　　半导体（俗称＂芯片＂）是现代科技的基础，其技术进步和创新将持续推动科技的快速发展和创新。但最近几年来，全世界可说是有目共睹，美国正在费尽心机，不遗余力地阻挡中国大陆的科技进步和创新，特别是半导体已经被美国锁定为了重点打击的行业。业界人士大多认为，不断拉大美国本土与中国大陆在半导体技术方面的差距，才是美国真正想要达成的目标。
　　不久前，很可能是迫于美国的压力，日本、荷兰都已经同意与美国达成新的协议，这无疑是美国限制中国大陆半导体产业发展战略的又一狠招。中国智库安邦就发布报告称，在美国、日本、荷兰达成协议后，对中国大陆半导体产业的出口管制措施将会更加严格，尤其是多边协议更替美国在今后继续扩大限制范围做了铺路——事实上，全球其他国家对美国部分限制供应或者完全限制供应，美国半导体产业只依靠自给自足的模式，照样玩不转。
　　美国是全球半导体制造设备领域的领导者，在沉积、蚀刻、制程控制、化学机械研磨和离子注入等多个细分市场上均占据多数份额。许多美国半导体设备制造商，例如应用材料、科林研发、科磊等，都曾向媒体抱怨，美国在2022年10月祭出的全面性单边出口管制，反而给了包括荷兰ASMI（ASM International）、日本东京威力科创等海外半导体设备厂商扩大市占率的绝好机会——如果应用材料、科林研发、科磊等美国厂商对中国大陆断供半导体设备，那么会有其他国家（地区）的厂商、以及在中国本土的厂商势必逐渐取代美国厂商。而在不是由美国厂商主导的光刻机市场上，确切说是在DUV深紫外光刻机市场上，荷兰阿斯麦，日本尼康、佳能等半导体设备厂商向中国大陆持续正常供货，即使美国依靠自己的力量（总部位于美国本土的半导体设备厂商）实行单边出口管制，也会相对弱化技术限制的影响。
　　以荷兰阿斯麦为例，该公司的光刻机可以分为四个等级：第一等级——用于7nm以下工艺的EUV极紫外光刻机、第二等级——用于16nm~7nm工艺的DUV湿法光刻机、第三等级——用于45nm~28nm工艺的DUV湿法光刻机、第四等级——用于110nm~65nm工艺的DUV干法光刻机。美国限制中国大陆半导体产业快速进步的最主要手段，即是半导体设备出口管制。尽管美国、日本、荷兰三边协议如今敲定，将限制中国大陆厂商获得DUV光刻机，但并未正式对外宣布具体的措施，尤其DUV光刻机是一种非常广泛的技术，包括氟化氪 （KrF）、干式氟化氩（ArF Dry）和浸润式氟化氩（ArFi）光刻机。未来中国大陆半导体厂商究竟还能够获得哪种等级的光刻机设备，外界尚未完全可知。
　　需要指出的是，一方面，尼康曾于1988年发布使用KrF曝光技术的DUV光刻机设备，虽然对量产14nm制程工艺仍然具有某种程度的支持作用，但按理说，美国、日本、荷兰三方最近新敲定的协议限制，应该不会包括这么老旧的技术。另一方面，阿斯麦于2022年发布的最新一代浸润式DUV光刻机，恐怕将是美国锁定禁售中国大陆的重点设备。目前阿斯麦依然宣称，除了EUV光刻机以外，其他业务与中国大陆半导体厂商正常交易。根据阿斯麦财报数据显示，在2021年和2022年，浸润式 ArFi DUV光刻机在营收中的贡献度分别高达36%和34%，EUV光刻机在营收中的贡献度均为46%，可想而知，如果浸润式DUV光刻机被禁售中国大陆，那么显然会对阿斯麦的业务带来负面冲击。
　　业界有分析认为，用于16nm/14nm及以下的先进制程工艺的光刻机设备，将对中国大陆厂商禁售；而用于45nm~28nm成熟制程工艺的光刻机设备，存在被纳入出口管制范围的可能性。一旦用于生产45nm~28nm制程工艺的光刻机也被禁售，那么落在该制程工艺区间的芯片，包括很多数字芯片、显示驱动芯片、车规级微控制器/图像传感器、小容量存储芯片等，中国大陆厂商短期内将无法扩产，中长期不得不转用DUV干法光刻机，但这样做会带来芯片制造成本上升，市场竞争力下降；或者，今后多数成熟制程工艺芯片也都从国外购买。
　　根据荷兰阿斯麦自己做的市场预估报告，在2025年，悲观预期下，目标是卖出190台干式DUV光刻机、70台浸润式DUV光刻机、53台EUV光刻机、乐观预期下，目标则是卖出290台干式DUV光刻机、87台浸润式DUV光刻机、75台EUV光刻机。
　　知乎上一位自称在台积电工作过，并在半导体行业从业达20年之久的人士认为，EUV光刻机是满产满销，只要阿斯麦完成制造，立马会被台积电、三星、英特尔等三家大厂抢走。但DUV光刻机，尤其是干式DUV光刻机在悲观预期与乐观预期之间的差距有100台之多，主要原因应该就在中国大陆市场。
　　他写道，按照美国的设想，涉及16nm/14nm以下先进制程工艺的光刻机设备、全都不能对中国大陆出售。所以阿斯麦预估浸润式DUV光刻机在两种不同预期下的销售量差别很小。据此还可以推断出，阿斯麦似乎希望从45nm制程工艺为起点，对中国大陆厂商禁售DUV光刻机。然而，美国可能想要的是，用于110nm及以下制程工艺的光刻机设备，统统对中国大陆厂商禁售。这就导致了干式DUV光刻机在两种预期下的巨大差距——2025年如果该设备能卖中国大陆，销量就有290台；如果不能，销量就只有190台。
　　按照这位半导体资深从业人士的说法，如果110nm到28nm成熟制程工艺，16nm/14nm及以下先进制程工艺所需的光刻机设备全部被禁售，对中国大陆半导体芯片产业将是毁灭性打击。
　　对于国产光刻机设备能不能派上用场问题？这位从业人士的回答是：首先，光刻机不是核弹，只分有或者没有两种情况。光刻机开发出来，先得从试验机经过一代一代的改良，最终成为量产机。这样的过程根本不可能秘密进行，因为都是需要与产线相结合的试生产，才能调适与改进。因而国产光刻机的进展情况，对美国来说是完全透明，那种以商业秘密为由不能说纯粹是借口。况且，国产光刻机需要的零部件，大部分依赖进口。零部件同样是以美日厂商供应为主。第二，由上海微电子开发用于号称90nm制程工艺的光刻机（实际只能满足130nm及以上制程工艺），至今没有用于实际量产，也根本不能用于量产，很多关键性的应用数据根本没有；但就是在这样的情况下，又大跃进式地开发可用于28nm制程工艺的浸润式ArFi DUV光刻机。第三，全球任何一家前道半导体设备，都是经过无数顶尖工程师长时间累积经验，在技术上不断改进和优化才有的结果。
　　这位行业人士表示，即便是最乐观的估计，用于28nm制程工艺的半导体设备，包括光刻机、刻蚀机等全部实现国产化，并达到晶圆厂量产的标准，用6年左右完成就是奇迹。此外，还要考虑到，等到那个时候，诸如量子计算实现商用，通用人工智能AI广泛普及，等等，用28nm及以上成熟制程工艺生产的芯片，还能有多大作用！
　　总而言之，国产半导体需要奋发努力，一方面要自主研发、攻关克难，开发出来的半导体设备必须要能够投入到生产线，以便不断改进和优化；另一方面应该与全球其他国家（地区）的厂商展开各种方式、不同层次的合作，千万不要完全靠自己闭门造车。