如何实现大容量固态硬盘实现大容量固态硬盘方法介绍

　　现在，越来越多移动设备和电子设备连接到互联网，据可靠的预测显示，到2020年， 连接到互联网的电子设备将达到500亿台。这个世界因此在经历着前所未有的数据爆炸，和设备连接到互联网，世界正在经历数据爆炸时代，对数据储存的逐年增长的需要驱动着半导体行业飞速的发展。
　　为了跟上时代的发展，企业数据中心和终端客户都需要有一个全新的储存时代。在这个过程中，NAND闪存是储存的核心。我们之前最熟悉的摩尔定律在发展到10nm左右就出现了无法延续的尴尬。传统的2D NAND闪存，也即平面型闪存，已经无法满足用户对固态硬盘容量的要求。所以寻求新的突破才是正道。
　　不负众望，国际储存巨头纷纷发布了新一代的3D NAND闪存。比如，英特尔/美光发布的基于浮栅原理的3D NAND闪存，西数/闪迪发布的BICS 3D NAND，以及三星发布的V-NAND。除了3D NAND，英特尔/美光还发布了近十年来的革新技术3D Xpoint, 威力比3D NAND还要强大数十倍。不过，我们本文不介绍3D Xpoint哦，本文主要学习一下三星的V-NAND技术。
　　我们先来看看V-NAND长什么样子以及和2D NAND之间的分别，如下图：
　　上图左边是平面NAND的截面图，从＂平面＂这个字眼，我们不难理解，NAND闪存储存单元都是沿着平面的方向扩展，大容量的闪存颗粒就需要很大的面积。现实中，我们都知道，地皮很贵，房子贵的大家都买不起了。同样，在便携式电子设备越来越多的情况下，一味的增大储存芯片的面积，只能被时代淘汰。
　　上图右是3D NAND的截面图。之所以被称为3D，主要是因为，储存单元的扩展主要沿着竖直方向延伸，就像，我们盖高楼大厦一样，占用很小的地皮资源，通过增加楼层就可以容纳更多的人，同理，3D NAND在有限的面积上，通过增加在垂直方向增加储存单元，就可以实现大容量的储存，符合时代的需要，也将会被时代选择。
　　与2D NAND相比，V-NAND的储存单元间隔更大。在2D NAND中，两个cell之间的距离一般在15nm左右，而在V-NAND中，两个cell之间的距离可以到40nm。那这个cell之间的距离有什么影响呢?在NAND闪存中，cell离得很近时，会带来比较大的干扰，当cell之间距离变大之后，负面的干扰就会减少很多，这样一来，我们也可以明白，V-NAND的可靠性要比2D NAND强。
　　下图是，V-NAND的阶梯式互连电路，是不是很漂亮呀!有了它，大容量的固态硬盘也不在话下咯!