使用STM32内部Flash额外的空间来存储数据

　　本次分享关于STM32内部FLASH的笔记。
　　STM32 芯片内部的 FLASH 存储器，主要用于存储我们代码。如果内部FLASH存储完我们的代码还有剩余的空间，那么这些剩余的空间我们就可以利用起来，存储一些需要掉电保存的数据。
　　本文以STM32103ZET6为例。STM32103ZET6属于大容量产品，其闪存模块组织如下：
　　其主存储器大小为512KB，分为256页，每页大小都为2KB。我们的程序一般默认烧写到第0页的起始地址（0x08000000）处。当BOOT0引脚和BOOT1引脚都接GND时，就是从这个地址开始运行代码的。这个地址在keil中可以看到：
　　假如我们要下载的程序大小为4.05KB，则第0、1、2页用于保存我们的程序，我们需要掉电保存的数据只能保存在第3页至第255页这一部分空间内。我们最终要下载的程序大小可在工程对应的.map文件中看到。.map文件可以双击工程的Target的名字快速打开，如：
　　下面对STM32的内部FLASH进行简单的读写测试：
　　STM32的内部FLASH读写测试
　　过程图如下（省略异常情况，只考虑成功的情况）：
　　示例代码：
　　本例的关键代码如下：
　　（1）进行解锁操作
　　STM32 的闪存编程是由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理 ，这个模块包含的寄存器如下：
　　STM32 复位后， FPEC 模块是被保护的， 不能写入 FLASH_CR 寄存器； 通过写入特定的序列到 FLASH_KEYR 寄存器可以打开 FPEC 模块（即写入 KEY1 和KEY2） ， 只有在写保护被解除后， 我们才能操作相关寄存器。 固件库中的函数为：void FLASH_Unlock(void);
　　（2）擦除将要写的页
　　STM32 的 FLASH 在编程的时候，也必须要求其写入地址的 FLASH 是被擦除了的（也就是其值必须是 0XFFFF），否则无法写入，在 FLASH_SR 寄存器的 PGERR 位将得到一个警告。 STM32 的闪存擦除分为两种：页擦除和整片擦除。 也就是其最小擦除单位为1页，尽管你只需往某页里写10个字节数据或者更少的数据，你也必须先擦除该页（2*1024个字节）。我们这里使用按页擦除，固件库中按页擦除的函数为：FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
　　其返回值为枚举：
　　（3）往上一步擦写成功的页写入数据
　　STM32 闪存的编程每次必须写入16 位。虽然固件库中有如下三个写操作的函数：
　　分别为按字（32bit）写入、按半字（16bit）写入、按字节（8bit）写入函数。32 位字节写入实际上是写入的两次 16 位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位并不矛盾。 写入 8 位实际也是占用的两个地址了，跟写入 16 位基本上没啥区别。
　　（4）写入操作完成后进行上锁操作
　　对FLASH进行写操作完成后要进行上锁操作，对应的固件库中函数为：void FLASH_Lock(void);
　　（5）读出数据
　　固件库中并没有与读操作的函数。读操作其实就是读取FLASH某个地址的数据。
　　（6）对比写入的数据与读出的数据是否相等
　　最后对比我们写入的数据与读出的数据是否完全一致，若一致则表明读写测试成功，否则失败。
　　程序执行结果：
　　可见，读出的数据与写入的数据一致，表明读写测试成功。
　　最后
　　STM32的内部FLASH读写步骤大致如上，有时候我们还需要封装一些读写函数，但步骤大都如上。写入数据之前需要先进行擦除操作。以上就是本次的笔记分享，如有错误，欢迎指出！