单芯片带宽将达900GBsHBM3内存研发积极推进中
原为韩国现代旗下的 SK 海力士是现在韩国两大内存芯片巨头之一,本周该公司在其 HBM2E 介绍页面中透露了 HBM 3 内存发展计划。
SK 海力士当前生产的 HBM2E 内存采用 1y nm 制程生产,引脚传输速率为 3.6Gbps,每枚 HBM2E 芯片提供了 1024 只引脚,单芯片带宽高达 460GB/s,是目前世界上带宽最高的内存芯片。
不过 SK 海力士已经在进行下一代 HBM3 内存的研发,目前的目标是单引脚速率 5.2Gbps,相当于每枚芯片能提供高达 650GB/s 的带宽,相比之下,昨天发布的 RTX 3070 上面有 8 颗 GDDR6X 内存,但是带宽也不过是 608GB/s(为此 3070 Ti 还额外增加了数十瓦的功耗)。
5.2Gbps 并非 HBM 3 的终点,按照其他公司的计划,HBM 3 的最终目标是 7.2Gbps,相当于每枚 HBM 3 内存能提供 900 GB/s 的内存带宽,
值得一提的是,SK 海力士去年从 Xperi Corp 获得了名为 DBI Ultra 的总线技术,该技术能应用于包括 HBM 3 和 GPU 在内的高速连接应用里,能实现每平方毫米 10 万到 100 万条的芯片堆叠互连,堆叠层数可以达到 16 层,这要是火力全开的话,未来芯片的内存带宽约束问题似乎也就迎刃而解了(想想就好了)。
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